金融界2025年5月14日消息，國家知識產權局信息顯示，無錫市晶源微電子股份有限公司申請一項名為“一種基于高壓功率PMOS管的ESD結構”的專利，公開號CN119994820A，申請日期為2025年2月高壓管 。

專利摘要顯示，本發明涉及半導體集成電路技術領域，具體公開了一種基于高壓功率PMOS管的ESD結構，包括：用于對高壓功率PMOS管的輸入端到地進行ESD保護的寄生PNP管；寄生PNP管包括作為基極的高壓功率PMOS管的源極P有源區、作為集電極的外部的P有源區襯底接地環和作為基電極的高壓功率PMOS管的背柵極N有源區環；其中，在正常工作狀態下，寄生PNP管處于截止狀態；而當靜電放電事件發生時，寄生PNP管導通高壓管 。本發明能夠解決現有高壓管腳ESD保護器件占用芯片面積較大的問題，占用較小的芯片面積，同時提供較高的ESD保護能力。

天眼查資料顯示，無錫市晶源微電子股份有限公司，成立于2003年，位于無錫市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業高壓管 。企業注冊資本5106.6757萬人民幣。通過天眼查大數據分析，無錫市晶源微電子股份有限公司共對外投資了3家企業，財產線索方面有商標信息9條，專利信息182條，此外企業還擁有行政許可15個。

來源：金融界